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助手不理解，庞特里亚金更不理解，甚至说了一句让助手差点没绷住的话：“她一个学机械的，听得懂盖尔范德的泛函分析？”
助手的嘴角微微抽了一下。他很想说人家做的卷子似乎都是满分，根本没什么问题，但他不敢说出口。
小心翼翼地岔开了话题：“院士，要不要我再联系一下鲍曼那边？也许她这学期会来........”
“不用。”庞特里亚金打断了他，重新把墨镜戴上，语气恢复了那种公事公办的冷淡，“不来就不来。一个学生而已，我这里不缺人。”
助手：“........”
庞特里亚金站起来，拿起粉笔，开始讲课：“上节课讲了最优控制的存在性定理。谁还记得证明思路？”
教室里响起了热闹地讨论声。
助手却在心里默默记了一笔，回去之后，打听一下那个华国学生这学期到底还来不来。
他绝对不是为了帮庞特里亚金传话，是为了避免下次上课的时候，同样的问题再问一遍。
因为如果下次时珈一还没来，庞特里亚金可能还会再问，到时受苦也是自己！他也不想再经历一次此刻的窒息了。
时珈一并不知道助手的无助。这一天，是无线电课。
走进教室，今天的课程不太一样，这次上课是在无线电的实验楼上的。
讲台旁边还放着几台电子设备，绿色的机柜上装了旋钮和仪表，指示灯亮着，实验台上还有不少整齐排列的元器件。
今天讲课的老师是无线电系的另外一位教授，姓费多罗夫，五十出头，精神抖擞。
他在黑板上写下今天的课程主题——晶体二极管在雷达接收系统中的应用。
“今天的课，跟你们后面要做的实践课作业直接相关。”
“上次我们讲了P-30雷达的动目标显示原理。今天讲它的核心接收部件，晶体混频器。”
他在黑板上画了一个简化的雷达接收机框图。
“雷达接收到的回波信号频率很高，不能直接放大处理。要先混频，把高频信号和一个本地振荡信号混合，降到一个更低的频率，才能进行放大和显示。”
边说，他边在框图的某个位置画了一个圆圈：“这个圆圈，就是混频器。而混频器的核心元件，就是晶体二极管。”
没错！今天的课程是时珈一非常感兴趣的一门课！雷达里的晶体二极管！
目前的华国是有雷达的，只是雷达的探测距离只有100公里。
这是新华国第一部自行设计的国产雷达，诞生于1953年底。
据说，当时科研人员仅凭望远镜远距离观察苏国雷达的天线结构，手绘草图，经过89次外场测试后研制成功。结束了华国不能自主制造雷达的历史。
但此时此刻，世界上最先进的雷达技术还是美帝那边的。苏国也赶不上。
苏国现在装备的还是P-30雷达，这款雷达比华国稍微好一点的地方，在于探测距离是180公里，而且研发技术成熟，配备敌我识别系统。
以及，它便宜，皮实耐用，能够大量装备。
华国的314甲型，属于早期米波雷达，测量精度较低，只能向特定方向发射电磁波，存在探测盲区，甚至核心元器件初期依赖进口，无法完全量产。
但美帝那边，AN/FPS-49远程预警雷达一发布，震惊全球。
这款雷达探测距离达到了惊人的5000公里，迅速成为装备界的新星。
而且它是一款跟踪雷达，角度精度极高，甚至能监视地区的弹道导弹试验！
唯一的问题就是它造价极高，而且位置固定，不能随便移动。
所以，差距很明显。
美帝的雷达已经具备了看全球的战略能力，苏国的雷达正在构建护国门的防空反导体系，而华国雷达则刚刚迈出了造出来的第一步。
当然，这个差距在以后会越来越小。但是目前看来，无论是苏国和华国，要向美帝的水平看齐是必须的。
这时，费多罗夫从实验台上拿起一颗带着两根引线的元器件，举起来让学生们看清楚。那颗东西小得像米粒。
“这就是锗晶体二极管。它的核心是一块高纯度的锗单晶，经过掺杂处理后形成PN结。把两个这样的二极管背靠背连接，可以组成一个平衡混频器，大幅提高雷达的抗干扰能力。”
时珈一的眼睛微微一亮。
锗。单晶锗。
想要研发单晶硅，就要从锗先下手。
费多罗夫在黑板前站定，细细的讲了不少知识，直到下课铃响。
他转身看着学生们：“今天的课讲完了。下面布置实践课作业。”
“设计并制作一部简易雷达接收机的高频前端模块。要求是采用晶体混频器结构，将三千兆赫的雷达回波信号降频至三十兆赫的中频信号。作业交付物包含，电路设计图、元件参数表、制作完成的功能模块，以及测试报告。”
他又补了一句：“当然，混频器用的晶体二极管，你们需要自己申请或者自己制作。系里的实验室可以提供高纯度的锗单晶和基础加工设备。”
大家都没有异议。能申请成品二极管，为什么还要自己制作？
时珈一却听得眼睛亮了，她完全可以申请自己制作，这说明她可以用上无线电系的实验室了，甚至可以申请单晶锗材料！
搓搓小手，心里默念。
理查德，快来信儿吧，现在急需要你的单晶硅提纯方法~~
珈一想要，珈一得到！
她转身就去找了达里娅教授。
这种申请实验室的活儿，当然是麻烦自己的老师最好了！给他们找点事做！
达里娅一开门，言笑晏晏的接待了她。然后面无表情地将人赶了出去。
想申请自己制作二极管？多麻烦她知道吗？
高纯度的锗单晶、切割和研磨设备、掺杂用的扩散炉、以及封装用的金属外壳和引线。
工艺上还需要经过晶片切割、表面研磨、掺杂扩散、欧姆接触制备和封装测试几个步骤！